فایل سل

دانلود باکیفی ترین و بروز ترین فایل های مجموعه بزرگ فایل سل

فایل سل

دانلود باکیفی ترین و بروز ترین فایل های مجموعه بزرگ فایل سل

بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی

          مقدمه : با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزایندهای بالا رفته است. گوردن مور  معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965  نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف میشود . این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگا ...
نظرات 0 + ارسال نظر
امکان ثبت نظر جدید برای این مطلب وجود ندارد.